碳纳米生长系统

碳纳米生长系统

2026-03-17 0 11次阅读
本文摘要 产品概述: 碳纳米生长系统是一种基于化学气相沉积(CVD)技术的高性能纳米材料制备仪器,专为生长碳纳米管、石墨烯、碳纤维等碳基纳米材料而设计。 产品特点: 高效制备技术...

产品概述:

碳纳米生长系统是一种基于化学气相沉积(CVD)技术的高性能纳米材料制备仪器,专为生长碳纳米管、石墨烯、碳纤维等碳基纳米材料而设计。

产品特点:

高效制备技术:采用先进的化学气相沉积(CVD)工艺,专为生长碳纳米管、石墨烯、纳米碳纤维等高性能碳基纳米材料而设计,确保材料的高质量与高性能。

广泛适用场景:适用于高校、科研机构及企业等材料制备相关实验室,满足工艺研发、技术验证及小批量试产的多元化需求。

多功能性与兼容性:

材料适配性:可制备直径150nm、长度1200μm的碳纳米管;单层率>95%、缺陷密度<0.5%的石墨烯;以及直径5~10μm、拉伸强度≥3.5GPa的碳纤维。

基底兼容性:支持金属箔(如Cu、Ni、Fe)、陶瓷(如Al₂O₃、SiC)及柔性聚合物(如PI、PET)等多种基底生长,拓宽应用范围。

优化生长环境:

精确控制气体在反应腔内的扩散路径,确保基材表面纳米材料生长的均匀性(CV<5%)。

通过预设编程参数,灵活匹配不同材料(如单壁/多壁碳管、少层石墨烯)的生长需求。

高性能加热与温控系统:

炉膛长度250mm,功率1.4kW,支持最高1100℃持续加热。

配置S型高精度铂铑热电偶,量程0~1500℃,采用独立温控系统,6组12段分段控制程序,温控精度可达±0.5℃。

PID智能算法动态调整加热区功率,确保炉膛温度均匀性≤±1℃。

精确气体流量控制:通过质量流量计(MFC)实时监控氩气流量,量程范围50-500ml/min,精度±1%FS,确保反应过程的稳定性。

先进真空系统:内置抽真空装置,抽速0.5L/s,极限真空度-80kPa,工作真空度-50kPa~-60kPa(误差±0.25%),超压时自动关闭气阀(响应时间<20ms)。

智能化与自动化:

仪器由加热与温控、气体与真空、前驱体注射、安全保护及中央控制五大系统高度协同联动运行。

采用先进的智能调节算法,无超调,具备自整定功能及掉电数据保护,实现任意斜率的升、降温控制。

前驱体注射系统采用高精度步进电机及驱动控制,完成抽液、填充、排液、注射及状态监控等功能,计量准确,操作简单。

安全可靠的设计:

炉体隔热材料采用高纯氧化铝陶瓷纤维空气凝胶复合材料,保温隔热效果好,炉体外温小于50℃。

采用快装法兰,密封性能好,真空度高,预留两个进气口,实现气氛保护功能。

废气吸收罐采用500ml串联式洗收瓶,吸附效率≥95%,确保环境友好。

UPS应急电源输出功率500W,维持关键部件运行30分钟,确保仪器在断电情况下的安全运行。

技术参数:

参数名称规格/描述
型号UP-TNM50
外形尺寸(mm)L1250*W650*H830
额定功率(kW)1.5
额定电压(V)AC220/50HZ
最高温度(℃)1200
额定温度(℃)1100
测温范围(℃)0-1500
控温精度(℃)±0.5
升温速率(℃/min)1-30℃/min可调,任意区间线性升温至目标温度
降温速率(℃/min)1-30℃/min可调,任意区间线性降温
炉管材质石英管
炉管尺寸(mm)50*600
炉膛尺寸(mm)¢240-200
最大正压力(kPa)≤20
温度均匀性(℃)±1
炉管承重(kg)5
加热元器件OCr27AI7MO2电阻丝,串联连接
热电偶1极精度S型热电偶
物料载体方式石英坩埚
开门方式对开开启式,带炉膛开启自动断电保护功能
基底兼容性支持多种金属箔、陶瓷及柔性聚合物基底生长
废气处理500ml串联式洗收瓶,吸附效率≥95%
应急电源UPS 500W,维持关键部件运行30分钟
前驱体注射系统高精度步进电机驱动,计量准确,操作简单
人机界面7寸嵌入式触摸屏,分辨率1024*600,支持中/英文切换
数据存储与导出可记录15000条实验数据,支持U盘导出
控制系统PLC可编程控制器,智能调节算法,自整定功能
远程控制支持4G、网口连接,WEB/PC/APP/小程序监控与控制
重量(kg)120
安全保护可燃气体泄漏自动关闭气阀,超压保护
隔热保护高纯二氧化硅空气凝胶,厚度>20mm
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